用戶日益增長的續航需求與電池技術一直得不到突破之間的矛盾愈來愈突出的當下,手機廠商們在充電速度上下功夫。有很多手機現在已經支持120W的充電功率。有許多傳統的電源充電器廠商也相繼推出了氮化鎵充電器,氮化鎵充電器廠家給大家介紹一下GaN。
但在原來的半導體材料下制作充電器,功率越大,充電器的體積就就會越大。由于氮化鎵這款半導體材料良好的性能,在PC電源和充電器市場中,越來越多的充電器廠家使用GaN氮化鎵來制作充電器和PC電源。
氮化鎵廠家采用的GaN氮化鎵材料穩定又堅硬,它的熔點約為1700℃,做成GaN功率器件(GaNFET)后可以在200℃以上的高溫下工作。氮化鎵比硅材料的禁帶寬度大3倍、擊穿場強高10倍、飽和電子遷移速度快3倍、熱導率高2倍,這些性能提升帶來的優勢就是它比硅更適合做大功率高頻的功率器件。假如電源插孔內的交流電是一望無際的湖水,充電器內的功率器件就像勺子,需要不斷將插孔內的湖水撈出,轉化為直流電后再傳輸給數碼設備供電。此時,用MOSFET做的勺子每秒鐘只能勺10下,再快就有燒毀罷工的風險。而GaNFET做的勺子每秒則可以勺至少30下,效率高還不怕累。
飛天鷹氮化鎵廠家在這種低損耗和高開關頻率特性的幫助下,制作出一系列的氮化鎵充電器在功率相同的充電器,采用GaNFET功率器件的產品已經非常迷你輕巧。歡迎新老顧客來咨詢。
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